专利名称 | 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 | 申请号 | CN201010143078.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101847677A | 公开(授权)日 | 2010.09.29 | 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 王晓峰;杨华;刘祯;曾一平;王国宏 | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 专利有效期 | 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 至采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法,包括:第一步,生长缓冲层;第二步,生长电极层;其中,生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃;生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍;生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明,有效改善了氧化锌透明电极的界面性质,降低了LED的工作电压和串联电阻。 |
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