| 专利名称 | 一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法 | 申请号 | CN201010143745.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101847592A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 黄秋平;罗乐;徐高卫;袁媛 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法 至一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。 |
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