| 专利名称 | 钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201310027583.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103046131A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 苏良碧;詹曜宇;李红军;王庆国;钱小波;姜大朋;汪传勇;王静雅;徐军 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法 至钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体，所述激光晶体MeF2（Me=Ca、Sr、Ba等）中还掺杂有与所述钕离子Nd3+共掺的三价阳离子M3+（M=Y、Sc、La、Gd、Lu等）。本发明在钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体中通过共掺三价阳离子M3+，在保持其宽带发射光谱特性的前提下，降低Nd离子的荧光猝灭效应，提高荧光量子效率，并实现发光波长、发射截面和荧光寿命的调控。 |
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