| 专利名称 | 一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器 | 申请号 | CN200910080640.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101847436A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘东屏;韩秀峰 | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器 至一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器，包括记忆单元、选择开关以及用于实现对所述记忆单元读写的布线，所述记忆单元采用多层膜磁性隧道结；其特征在于，所述选择开关采用垂直晶体管，所述垂直晶体管包括由下至上设置的源极区、栅极区和漏极区，所述漏极区上方连接有漏极区电极层，所述多层膜磁性隧道结制作在所述漏极区电极层上。本发明器不仅提高MRAM在高密度集成方面的能力，还可进一步降低整个器件的功耗，提高抗击穿性能和抗辐射性能等。 |
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