| 专利名称 | 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201310026859.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103060765A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 柯培玲;秦晓鹏;汪爱英;王振玉;张栋 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 至一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基体表面高硬度低磨损的MoS2复合薄膜的制备方法，该方法采用高功率脉冲磁控溅射技术，结合优化的工艺条件，在基体表面依次沉积金属Ti打底层、TiN过渡层，以及Ti/MoS2复合薄膜，得到强膜基结合力、高硬度，并且在多种摩擦环境中具有低的摩擦系数和磨损率的MoS2复合薄膜，其纳米硬度为11GPa以上，临界载荷值为60N以上，在相对湿度为30%、50%、70%的室温空气，N2气氛和液压油环境中的摩擦系数均在0.055以下，因此能够对基体进行有效的减摩防护，具有良好的应用前景。 |
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