| 专利名称 | 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法 | 申请号 | CN201210510232.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065679A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 高琛;杨远俊 | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法 至电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法，本发明涉及一种新型非易失性固态存储元器件和存储器，以及相应的写入和读出方法。本发明的固态存储元器件包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、紧邻铁电性压电层并位于其上的电阻层、位于电阻层上的顶电极层。铁电性压电层作为信息的存储层，在电场作用下具有两个或多个应变态，并且其使电阻层具有两个或者多个非易失性电阻态，使电阻层作为信息的读出层。本发明的固态存储元器件利用电场将信息写入，而且能被非破坏性地读出，具有功耗低、非易失性、存储速度快以及存储密度高等优点。 |
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