| 专利名称 | 深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法 | 申请号 | CN201210532854.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103018206A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 | 主分类号 | G01N21/47(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/47(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I | 专利有效期 | 深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法 至深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 深紫外氟化物薄膜元件污染物吸附能力的分析方法，属于深紫外光学技术应用领域，该方法包括一：测试氟化物薄膜样品在镀制完成之初的反射率R0或透过率T0；二：氟化物薄膜样品在放置于应用环境系统中使用或存储一段时间后，测试样品吸附有机物和水汽后的反射率R1或透过率T1；三：用ArF准分子激光器对样品表面进行低功率能量密度辐照，整个光路系统中吹扫干燥的高纯N2，同时用能量计监测透射激光能量；四：对ArF准分子激光器激光辐照后的样品进行步骤一所述的光谱测试，得到经激光辐照后样品的反射率R2或透过率T2；五：当测试值为透过率T时，由η=η1+η2?=(T2-T1)/T1+(T0-T2)/T0运算吸附因子η。 |
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