| 专利名称 | 一种制备高纯AlON粉体的方法 | 申请号 | CN201110422073.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102557087A | 公开（授权）日 | 2012.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高濂;靳喜海;孙静 | 主分类号 | C01F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01F7/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备高纯AlON粉体的方法 至一种制备高纯AlON粉体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备高纯AlON粉体的方法，是首先将纳米Al2O3粉体分散于溶剂中，然后加入热固性树脂的聚合单体，使聚合单体在Al2O3颗粒表面进行原位聚合反应，生成树脂聚合物包覆Al2O3颗粒的复合前驱体，再对所述复合前驱体在惰性气氛中于800～1100℃进行热解反应，最后在氮气氛下于1680～1750℃进行碳热还原反应。本发明可以显著提高热解碳与Al2O3颗粒的接触面积和混合均匀度，阻止碳热还原过程中Al2O3颗粒间的局部烧结和汇聚长大，从而降低了AlON粉体的制备温度及其颗粒尺寸和团聚度，所制备的AlON粉体纯度高，粉体颗粒尺寸不超过1μm。 |
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