| 专利名称 | 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 | 申请号 | CN200910083500.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101882628A | 公开（授权）日 | 2010.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;左青云;龙世兵 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 至一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种与CMOS工艺兼容的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，包括：上电极、下电极以及包含在上电极与下电极之间的功能层薄膜。本发明的整流器件能够提供更高的电流密度，与存储器器件串联后形成的1D1R结构能抑制交叉阵列结构存储器中的串扰现象。本发明的用于交叉阵列结构存储器的整流器件器件具有结构简单，易集成，成本低的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
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