| 专利名称 | 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺 | 申请号 | CN201010199669.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101882617A | 公开（授权）日 | 2010.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/08(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺 至肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺，所述存储器包含字/位线、半导体层、第一金属层、第二金属层、绝缘材料、电阻转换存储单元；字/位线之间的隔离依靠第一浅沟槽实现，而同一字/位线上方的肖特基二极管单元的隔离依靠第二浅沟槽实现；所述第一浅沟槽深于第二浅沟槽。本发明采用新型结构的肖特基二极管，可通过简单的工艺制造出存储器装置，实现存储器器件成本的大幅降低。 |
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