| 专利名称 | 一种中红外激光器的制备方法 | 申请号 | CN201210048679.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593718A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李耀耀;李爱珍;张永刚;丁惠凤;李好斯白音 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种中红外激光器的制备方法 至一种中红外激光器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。 |
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