| 专利名称 | Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法 | 申请号 | CN201210026626.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592983A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;周炜;张雷博;侯云;吴敬;褚君浩 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法 至Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。 |
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