| 专利名称 | 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 | 申请号 | CN201110004654.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592662A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 王东辉;闫浩;洪缨;侯朝焕 | 主分类号 | G11C11/416(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/416(2006.01)I | 专利有效期 | 一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 至一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路，该电路包括：至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路；所述第一反相器(I1)的输入端用于写入数据(D)；其特征在于，所述驱动电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2)；该写入电路还包括反馈控制电路；所述存储单元包括：第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本发明无需额外的参考电压或者电源电压来辅助实现低摆幅幅技术；并通过改进的存储单元支持单端低摆幅写入。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障