| 专利名称 | 一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201210012512.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102585175A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 霍利军;侯剑辉 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 至一种二维共轭苯并二呋喃类共轭聚合物材料及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二维共轭苯并二呋喃类聚合物光电材料及其制备方法与应用。该聚合物的结构式如式I所示，其中，A1，A2，R1和R2均独立地代表下述基团中的任意一种：氢，具有1-30个碳原子的烷基，具有1-30个碳原子的烷氧基，氰基，硝基，酯基，芳基，芳烷基，卤素，卤代烷基，杂烷基，烯基，和单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基；Ar1，Ar2，Ar独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基、含至少三个环的杂亚芳基的共轭单元，n为5-500之间的自然数。本发明的聚合物材料可应用于光电领域如有机太阳能电池和高迁移场效应管领域。(式I) |
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