| 专利名称 | 一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210052032.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102584230A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董显林;王丽;梁瑞虹 | 主分类号 | C04B35/49(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高压电系数、高电致应变低温烧结的压电陶瓷材料。本发明的压电陶瓷材料的成分以锶、钡复合掺杂改性的铌镁酸铅-锆钛酸铅为基体，并含有CuO。本发明通过选择适当的制备工艺，合适的Zr/Ti比，适量的锶和钡掺杂量，并选用合适的烧结助剂，在降低烧结温度的情况下，制备出具有高压电系数和高电致应变特性的致密压电陶瓷材料及压电元件，该压电陶瓷材料在叠层压电滤波器、叠层压电微位移器和叠层压电变压器等方面具有良好的应用前景。 |
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