| 专利名称 | 偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置 | 申请号 | CN201110009450.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102593191A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡凤霞;王晶;陈岭;沈保根;孙继荣 | 主分类号 | H01L29/96(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/96(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 专利有效期 | 偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置 至偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，该半导体异质结构由驰豫型铁电单晶(PMN-PT)基片以及在其上交替生长的空穴型(p型)钙钛矿锰氧化物薄膜和电子型(n型)钙钛矿氧化物薄膜构成。本发明还提供了该半导体异质结构的制备方法和装置。由于驰豫型铁电单晶具有显著的逆压电效应，因此，获得的新型功能的所述半导体异质结构具有显著的偏置电场可调特性。 |
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