| 专利名称 | 一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 | 申请号 | CN201210072930.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102592999A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡伟达;王晓东;陈效双;陆卫 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 至一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障