| 专利名称 | 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法 | 申请号 | CN201010256968.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101907719A | 公开（授权）日 | 2010.12.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚 | 主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法 至一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种对基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计进行退火方法，该方法将经辐照后失效的所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计的正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线，置于95至105℃环境温度范围下退火230至310小时；之后将环境温度升温至145至155℃范围继续退火80～120小时；然后将所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计取出置于20至25℃环境温度下测试，与该PMOS辐射剂量计未辐照前数据比对校准。 |
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