专利名称 | 一种制备铁镍磷化学镀层的方法 | 申请号 | CN200910011856.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101906624A | 公开(授权)日 | 2010.12.08 | 申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 周海飞;郭敬东;尚建库 | 主分类号 | C23C18/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/34(2006.01)I;C23C18/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备铁镍磷化学镀层的方法 至一种制备铁镍磷化学镀层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于化学沉积技术领域,具体为一种制备铁镍磷化学镀层的新方法,该镀层能广泛应用于(微)电子工业、宇航及通用工程。该方法通过酒石酸钾钠、柠檬酸三钠、两种具有-N(CH2COOH)2基团的有机混合添加剂及氨水组成的复合络合体系,控制溶液中游离Fe2+离子及Ni2+离子的浓度,抑制镍还原速度且同时提高铁还原速度,从而提高镀层中的铁含量,该复合络合体系可与杂质离子络合,提高溶液可容纳金属杂质离子的浓度,尤其适用于在硅芯片及铜表面制备高铁含量的铁镍磷化学镀层。在硅片表面所得镀层组成为:铁原子百分含量为0-50%可控,磷原子百分含量为2-18%,余量为镍;在铜片表面所得镀层的铁原子百分含量为0-90%可控,磷原子百分含量为2-16%,余量为镍。 |
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