| 专利名称 | 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 | 申请号 | CN201010220952.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101895058A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 杨燕;俞敦和;吴姚芳;侯霞 | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/042(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I | 专利有效期 | 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 至用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源，包括半导体激光器驱动电路和高精度温控电路，所述的半导体激光器驱动电路采用高速MOSFET作开关。本发明能根据半导体激光器的参数，通过改变本发明驱动电源电路中的电源电压、电阻和电容，使被驱动的半导体激光器输出所需要的频率高、前沿快、脉宽窄、脉冲峰值可控、波形平滑的激光脉冲。 |
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