| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010159892.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237396A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造领域，根据本发明，该半导体器件包括：半导体衬底；栅极区，位于所述半导体衬底上方；源/漏区，位于所述栅极区两侧，所述源/漏区由应力材料形成；其中，所述栅极区与半导体衬底之间包括应力集中区，所述应力集中区包括上面的SOI层和下面的应力释放层，所述SOI层与上方的栅极区相邻，所述应力释放层与下方的半导体衬底相邻。本发明适用于MOSFET的制造。 |
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