| 专利名称 | 存储器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010157573.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237364A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 存储器件及其制造方法 至存储器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种存储器件及其制造方法，所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET，以及位于MOSFET下方的电容器结构，所述电容器结构包括两个电容器电极，所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容器电极之一电连接，其中，所述电容器结构包括交替堆叠的多个第一叠层电容器和多个第二叠层电容器，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器各自包括上极板、下极板和夹在二者之间的电介质层，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器通过所述两个电容器电极并联连接，并且所述多个第一叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第二叠层电容器的上极板由公共的第一电极层形成，所述多个第二叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第一叠层电容器的上极板由公共的第二电极层形成，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。 |
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