| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010159895.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237277A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法采用先去除伪堆叠以形成开口；而后从所述开口对衬底进行蚀刻而形成沟槽；再利用外延生长工艺在所述沟槽中生成外延层，以形成掺杂阱；最后，在开口中形成栅极介质层和金属栅极。通过本发明能够避免传统利用离子注入和退火形成的掺杂阱陡峭度降低，并且掺杂剂不当地引入源极区和漏极区的问题，从而提高器件性能。 |
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