| 专利名称 | 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010162251.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237339A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 庞磊;陈晓娟;罗卫军;魏珂;刘新宇 | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法 至一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/金金属构成)连通，或者与其他元件进行电气通路的连接，起镀层采用磁控溅射台溅射得到。本发明所采用的背面金属起镀层具有很好的稳定性和可靠性，与正面金属的连通性极高，可以极好地弥补盲孔刻蚀过程所引起的芯片背面的不平整性，为溅射背面起镀层的后续工艺——电镀软金传导层打下良好的基础，并且由此种背面金属起镀层所产生的附加串联电阻较小，对提高电路整体性能起到很大的作用。 |
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