| 专利名称 | 一种降低存储器读干扰的电路及方法 | 申请号 | CN201010162241.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237131A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;柳江;刘明 | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低存储器读干扰的电路及方法 至一种降低存储器读干扰的电路及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术，将传统存储块划分成块和子块，在编程和擦除时，存储器对整个块进行编程和擦除操作；在读取时，存储器仅对选中的子块进行读取操作，存储器在读取操作时，读取电压仅加载在选中子块的字线上，而未选中子块的字线电压为零，这样就能使读取操作带来的干扰降低到最小，提高存储数据的保持特性。利用本发明，可使存储器在存储密度不变的情况下，数倍的增加数据保持特性，提高存储器的可靠性；或者在数据保持特性不变的情况下，提高存储器的存储密度，降低单比特存储容量的成本。 |
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