| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201010157574.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237311A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的栅极、栅极两侧的侧墙、以及源/漏区；位于源/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖源/漏区的至少一部分，同一晶体管的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；形成在栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部。本发明的实施例适用于半导体器件的接触部制造。 |
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