| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010162118.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237295A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括半导体器件；在所述半导体衬底上淀积铜扩散阻挡层；在所述铜扩散阻挡层上形成铜化合物层；根据铜互连的形状，将需要形成铜互连的相应位置处的铜化合物分解为铜，并刻蚀未分解的铜化合物及其下方的铜扩散阻挡层，从而将所述半导体器件之间进行互连。本发明适用于半导体集成电路的互连制造。 |
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4、专员跟进，交易保障