| 专利名称 | 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 | 申请号 | CN201010157559.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102236063A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;习林茂;韩郑生 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 至一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。利用本发明，实现了对SOI器件热载流子寿命的准确预测。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障