| 专利名称 | 一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法 | 申请号 | CN201010162263.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237288A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 彭铭曾;郑英奎;刘果果;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法 至一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。利用本发明，解决了器件表面态导致器件产生严重的电流崩塌以及器件漏电大的问题。 |
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