| 专利名称 | 一种相变存储器器件单元及制备方法 | 申请号 | CN201010152455.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237488A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐成;宋志棠;刘波;吴关平 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器器件单元及制备方法 至一种相变存储器器件单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热电极材料并平坦化，使得相变区域发生在相变材料的上沿。由于采用先进的刻蚀技术，可以将倒锥形的孔下端的尺寸进一步缩小，减小加热电极材料与相变材料接触面积，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。 |
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