| 专利名称 | 一种进气结构 | 申请号 | CN201110345338.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102420120A | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;胡冬冬;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 专利有效期 | 一种进气结构 至一种进气结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间，保证两个空间的气流压力梯度在一定范围，有利于反应腔室内气流密度均匀一致；等离子体启辉条件下，芯片表面的反应物可及时随气流排出，确保刻蚀工艺的正常进行。 |
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