| 专利名称 | 一种识别残留农药的光寻址分子印迹阵列传感器 | 申请号 | CN200910242771.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102103112A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 夏善红;韩泾鸿;任振兴;边超;卞贺明 | 主分类号 | G01N27/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种识别残留农药的光寻址分子印迹阵列传感器 至一种识别残留农药的光寻址分子印迹阵列传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种识别残留农药的光寻址分子印迹阵列传感器由光寻址分子印迹阵列芯片和光寻址电位传感器的测量池组成。其中基于MEMS技术的阵列芯片为硅基微结构阵列，芯片的阵列敏感区表面采用溶胶-凝胶分子印迹的方法修饰正硅酸乙酯，可识别各种残留有机磷、氨基甲酸酯等农药的分子印迹敏感膜；测量池由有机玻璃制成，包括上盖、测量池底座和密封胶圈。阵列芯片作为工作电极可互换地安装在测量池底座的内侧；红外LED发光二极管阵列被直接用密封胶镶嵌在底座的外侧，与阵列芯片的位置对应；上盖的内侧与工作电极阵列芯片对应得位置固定着着铜基电镀Pt薄膜作为对电极，并有进出口管道；圆形上盖与测量池底座周围有由螺纹，通过密封胶圈密封成测量池。 |
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