| 专利名称 | 一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 | 申请号 | CN201110120151.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102200667A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李四华;吴亚明 | 主分类号 | G02F1/21(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/21(2006.01)I | 专利有效期 | 一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 至一种体硅可调谐光学滤波器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种体硅可调谐光学滤波器由体硅调谐腔，高掺杂的体硅电阻加热器，下悬臂梁、上悬臂梁，表面高掺杂的左悬臂梁、表面高掺杂的右悬臂梁，金属导线、应力平衡金属导线、左引线区域，右引线区域和支撑SOI硅基底11构成。其采用高电阻率的SOI硅片并利用体硅加工工艺制作获得。包括：(a)SOI硅片器件层表面制作高掺杂区域；(b)硅片器件层表面溅射金属并制作金属结构；(c)硅片器件层表面制作体硅调谐腔和各悬臂梁结构；(d)从硅片下表面衬底层释放体硅调谐腔及悬臂梁结构；(e)在体硅调谐腔上下表面制作高反射膜，形成光学F-P干涉腔体。所制作的该滤波器具有很好的光学性能，且工艺制作简单，结构可靠性高。 |
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