| 专利名称 | 离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 | 申请号 | CN201010513818.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102445477A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 宋轶琳;蔡新霞;林楠森;刘春秀;王利 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 至离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法，涉及传感器技术，该芯片由绝缘基底、微电极阵列、对电极、参比电极、电极引线及触点、表面绝缘层六个部分构成，采用微机电系统(MEMS)工艺加工制备。其中，微电极是直接与动物离体神经细胞接触的敏感单元，结合对电极与参比电极，可用于实施对神经电生理信号和神经递质电化学信号这两种神经信息传递模式的同步检测，并兼有对细胞施加电刺激的功能。本发明芯片功能集成化，电路接口简单，使用方便，适合实验室开展动物离体神经信息的双模检测及相关研究。 |
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