| 专利名称 | 一种半导体结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010501694.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102446952A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其形成方法 至一种半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括主纳米线、纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上，在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，所述主纳米线、各所述纳米线分立且均包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同；所述主纳米线与靠近所述第一半导体层的对应的所述第二半导体层相接；各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接；各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。 |
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