| 专利名称 | 具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法 | 申请号 | CN201110343183.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427052A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王学良;张峰;叶斐;赵常盛;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法 至具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。 |
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