| 专利名称 | 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 | 申请号 | CN201110115323.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185056A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马平;王军喜;魏学成;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 专利有效期 | 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 至提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障