| 专利名称 | 一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法 | 申请号 | CN201110036749.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102180674A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 罗朝华;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法 至一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，其特征在于采用流延成型和叠层工艺制备出多孔的含碳素坯，并应用于反应烧结碳化硅陶瓷的制备。包含如下步骤：不同比例C/SiC混合粉体在加入适量溶剂、分散剂与粘结剂混合均匀后，将所得到的浆料流延成型得到薄膜。室温干燥后将流延膜剪裁成所需要的尺寸，叠加并在1-30MPa压力下干压成具有一定厚度的多层结构，然后在真空炉中脱粘，最后将脱粘后的素坯在真空炉中反应渗硅，反应温度在1420-1650℃之间，保温时间为5-60分钟。有利于素坯中SiC与C粉的分散以及孔径分布和孔隙率的控制，而且还具有可叠层设计的特点。 |
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