| 专利名称 | Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件 | 申请号 | CN201110367361.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427086A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;于国浩;董志华;王越;张宝顺 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件 至Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，第二介质层设于第一介质层和主栅表面，主栅设于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层、第二半导体形成MIS结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区，副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障