| 专利名称 | 一种新型匀气结构 | 申请号 | CN201110387800.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102424955A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李楠;席峰;李勇滔;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I;H01J37/305(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种新型匀气结构 至一种新型匀气结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及等离子刻蚀、淀积及中性粒子刻蚀设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子体或中性粒子刻蚀系统的匀气结构。所述匀气结构设置在真空腔室的进气管的下方，所述匀气结构包括匀气筒，所述匀气筒采用中心同轴且相互旋转的内匀气筒和外匀气筒的双层圆筒状结构，所述匀气筒的底部为封闭的；所述内匀气筒和所述外匀气筒上设有匀气孔。本发明在等离子体启辉条件下，匀气筒和匀气盘呈密封状态，气体密度增高后容易电离，有利于气体启辉，能够加快启辉速度，启辉后通过旋转匀气筒的内外筒和匀气盘的上下层，使匀气孔露出，等离子体随气流通过匀气孔对芯片进行刻蚀，提高芯片表面气体的均匀性。 |
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