| 专利名称 | 一种硅的氧化钝化方法及钝化装置 | 申请号 | CN201110376438.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102427097A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;刘尧平;梅增霞;杜小龙 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅的氧化钝化方法及钝化装置 至一种硅的氧化钝化方法及钝化装置 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅的氧化钝化方法，其特征在于利用臭氧对硅的表面进行氧化钝化。本发明还提供了一种用于钝化硅的钝化装置。本发明提供的钝化方法不仅降低了氧化钝化处理的温度，有效地增加了少数载流子的寿命，而且也提高了钝化膜二氧化硅薄膜的质量。 |
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