| 专利名称 | 一种金簇的制备方法 | 申请号 | CN201110393636.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102424952A | 公开（授权）日 | 2012.04.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 陈义;李晋成;马力坡 | 主分类号 | C23C14/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金簇的制备方法 至一种金簇的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金簇的制备方法。该方法包括如下步骤：在基底上蒸镀金膜，将基质涂覆在金膜表面，用激光轰击所述金膜即得产品。本发明提供的制备方法可得到系列的金簇，金簇的正离子质荷比高达20,000，金簇的负离子质荷比高达10,000，也提供了一种可直接利用质谱仪佩带的激光直接气化金膜来简便地产生质荷比范围宽的金簇正离子和负离子的方法；本发明的方法中的基底和金膜可以重复使用，所制备的金簇可用于金簇的结构、催化反应和质谱质量校正研究等。 |
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