| 专利名称 | 电容器结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010111332.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102148261A | 公开（授权）日 | 2011.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才 | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 电容器结构及其制造方法 至电容器结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种电容器结构及其制造方法，该电容器结构包括：在衬底上形成的多个叠层电容器，每一个叠层电容器包括顶极板、底极板和夹在二者之间的电介质，以及用于将所述多个叠层电容器并联连接的电容器第一电极和电容器第二电极，其中，所述多个叠层电容器包括交替堆叠的第一叠层电容器和第二叠层电容器，每一个第一叠层电容器的底极板与位于其下方的第二叠层电容器的顶极板由公共的第一电极层形成，每一个第二叠层电容器的底极板与位于其下方的第一叠层电容器的顶极板由公共的第二电极层形成，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。该电容器结构减小了芯片占用面积，可应用于模拟电路、射频电路或嵌入式存储器中的集成电容器中。 |
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