| 专利名称 | 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 | 申请号 | CN201110078118.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102181924A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 至一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种石墨烯的生长方法，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生长；停止通入碳源，持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。 |
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