| 专利名称 | 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 | 申请号 | CN201110152869.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208502A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 詹腾;汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 至氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术，通过匀胶，前烘，曝光，坚膜，在SiO2层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层，露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上，蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边，蒸发接触金属电极，完成二极管隐形电极的制作。 |
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