| 专利名称 | 一种高密度凸点基板及其制造方法 | 申请号 | CN201110130437.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102208390A | 公开（授权）日 | 2011.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 于中尧 | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高密度凸点基板及其制造方法 至一种高密度凸点基板及其制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及芯片加工技术领域，具体涉及一种高密度凸点基板。所述基板，包括垂直于基板表面紧密排列的包覆绝缘层的柱状导线，包覆绝缘层的柱状导线通过粘接材料粘接形成基板；基板的一个表面设有布线，另一个表面上有部分导线凸出基板的表面，形成凸点。本发明还提供一种高密度凸点基板的制造方法。本发明提供的基板结构自带凸点，无需高精度厚胶光刻和高精度电镀凸点；本发明提供的制造方法，制造成本低廉，加工工艺简单，不需要高深宽比厚胶光刻工艺和高精度电镀工艺，不需要机械钻孔、高成本的DRIE高深宽比的深硅刻蚀、高成本的孔内绝缘层和电镀种子层沉积及高难度的孔内电镀填充工艺，因此不需要这些工艺采用的价格昂贵的工艺设备。 |
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