专利名称 | 基于稀土掺杂氟钆化钠核壳结构的双模式纳米荧光标记材料及其制备方法 | 申请号 | CN201010105414.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102140344A | 公开(授权)日 | 2011.08.03 | 申请(专利权)人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明(设计)人 | 陈学元;刘永升;涂大涛;李仁富;罗文钦;朱浩淼 | 主分类号 | C09K11/85(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/85(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I;G01N21/64(2006.01)I | 专利有效期 | 基于稀土掺杂氟钆化钠核壳结构的双模式纳米荧光标记材料及其制备方法 至基于稀土掺杂氟钆化钠核壳结构的双模式纳米荧光标记材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 基于稀土掺杂氟钆化钠核壳结构的双模式纳米荧光标记材料及其制备方法,涉及稀土掺杂氟钆化钠核壳结构双模式纳米荧光标记材料,尤其是涉及使稀土掺杂氟钆化钠纳米晶同时具备上转换和下转换发光双模式的方法。本发明通过将上转换稀土离子和下转换稀土离子分别掺入到氟钆化钠纳米晶的内核和壳层中的方法,得到了一种单分散地、集上转换和下转换发光于一身的氟钆化钠核壳结构双模式纳米荧光标记材料。本发明制备的氟钆化钠核壳结构纳米荧光标记材料的组分为:xRE3+-(1-x)NaGdF4(RE=Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb;x=0-50mol%)。用光谱仪测样品的发光,通过激发Gd3+离子和Yb3+离子,能分别实现稀土离子强的下转换发光和上转换发光。 |
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