| 专利名称 | 一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201110288761.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021503A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 智林杰;方岩;王杰;罗彬;张先锋;梁明会;何海勇;贾玉莹;邱腾飞 | 主分类号 | H01B1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法 至一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯-炭纳米复合透明导电薄膜及其制备方法，通过往氧化石墨烯分散液中添加各种成炭前驱物，然后再进行热还原制得的石墨烯-炭纳米复合薄膜石墨化程度明显提高，从而大幅提升了产品的导电性能，且又不影响膜的透光率。此外，与单纯石墨烯薄膜相比，该薄膜的粗糙度小于0.2nm，平整度高。本发明的制备方法工艺简单，所用试剂性质温和，可以应用于大规模生产，在触摸屏、太阳能电池、发光二极管等光电领域有着很好的应用前景。 |
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