| 专利名称 | 利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜 | 申请号 | CN201010241301.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101892522A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李效民;何邕;高相东;冷雪 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜 至利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜。具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。 |
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