| 专利名称 | 硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 | 申请号 | CN201010231621.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101892514A | 公开（授权）日 | 2010.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 袁晖;熊巍;陈良;周尧 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 至硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种坩埚下降法生长大尺寸、高质量硝酸钠单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用分析纯硝酸钠为原料，采用单层圆锥底铂金坩埚或圆弧底石英玻璃坩埚装料，采用硅碳棒或硅钼棒为发热体的下降炉进行晶体生长，生长炉温350～380℃，生长速率0.2～1.0mm/h，生长界面温度梯度5～15℃/cm。本发明所述的坩埚下降法生长工艺简单，可按制定的条件进行晶体生长，其温场稳定，径向温梯小，可有效减少晶体开裂，而且一炉可同时生长多根不同规格的硝酸钠单晶。 |
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